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STAGE M2 - Chemical Vapor Deposition M/F

Crolles, Auvergne-Rhône-Alpes 6 mois

Afin de répondre aux futurs usages, notamment dans le développement des futures technologies (Imager, BiCMOS), des épitaxies dans des architectures complexes sont nécessaires. L'étudiant intégrera l'équipe R&D d'épitaxie travaillant sur des plaquettes de silicium 300 mm à Crolles, France. Vous travaillerez sur les épitaxies de SiGe et SiGe:B réalisées par " Reduce Pressure Chemical Vapor Deposition " (CVD) .
Le stage se partagera sur deux thématiques d'un même projet. La thématique principale du stage se focalise sur la préparation de surface permettant de réaliser une reprise d'épitaxie sur SiGe. Cette étude mêlera des nettoyages humides, de l'épitaxie et de la caractérisation (XRD, XRR, XRF, ellipsometrie...). Des échanges avec divers experts (nettoyage, caractérisation) seront nécessaires. La seconde thématique est l'épitaxie SiGe dopée Bore. Les paramètres d'épitaxies seront évalués (pression, température et flux de gaz) sur la vitesse de croissance, la composition du matériau et sa qualité cristalline.
Vous devez avoir des connaissances en semi-conducteur : avoir déjà travailler dans le domaine des semi-conducteurs est un plus mais ce n'est pas obligatoire. Une formation en matériau est recommandée.
Vous devez être dynamique, avoir l'esprit d'équipe et être curieux.